【半導体】 TSMC、ASMLのEUV露光装置導入 10nmプロセス本格化へ
2014-11-26 12:16:04
半導体露光装置大手の蘭ASMLは2014年11月24日、次世代のコア技術である極紫外線(EUV)露光装置が正式に量産を開始し、ファウンドリ最大手の台湾TSMC(台積電)からの受注を獲得したことを明らかにした。台湾紙『経済日報』(11月25日付)は、TSMCにとって、EUV露光は10nm(ナノメートル)など先進プロセス導入のカギを握る装置だと評した。
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【ソース:】TRI