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【半導体】インテル・ソフバンの次世代AIメモリに台湾PSMC参加の報道

2026-02-24 11:33:09

経済日報は、ソフトバンクが設立した次世代メモリー開発会社「SAIMEMORY（サイメモリ）」が2月3日に発表したインテルとの共同開発計画で、新たな「Z-Angle Memory」技術を採用することで、AI及び高性能計算（HPC）向けに、容量・消費電力・データ転送効率の各面で現行のHBMの限界を突破することを目指すと表明したと伝えた。

その上で同紙は、サイメモリが設計と知的財産の管理を統括、インテルが積層技術やメモリアーキテクチャを提供、PSMCや新光電気工業（SHINKO ELECTRIC INDUSTRIES）等が試作・製造を担当すると指摘。2027年までに試作品を完成、2029年の量産化を目標にしていると報じた。

報道によると、ZAMについてインテルは、従来のメモリアーキテクチャではAIシステムの要求を満たすことが難しくなっており、多層積層と先端パッケージ技術によって性能向上と低消費電力化、コスト削減を同時に実現する必要があると指摘。その上で、ZAMの登場により、半導体産業の競争軸は単一部品からシステム全体の統合へと移行し、メモリと演算の協調設計が重要性を増やすことになるとの認識を示している。

一方、同紙の伝えた台湾の半導体業界筋は、AIメモリが計算基盤を支える中核技術と位置付けられる中、日米台による今回の連携は、設計、技術、製造を分散した国際協力モデルであり、HBMに依存しない新たなメモリ路線の確立を目指すものだと指摘。AI時代の半導体サプライチェーン再編の中で、その動向が注目されると述べた。

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