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【半導体】UMC、日本で2D NANDフラッシュ製造の報道　日系メモリ大手が要請　USJC三重工場でeMemoryと協働
2026-04-22 12:04:25
台湾の大手紙『経済日報』は2026年4月22日付で、メモリの日系最大手からの要請に応える形で、ファウンドリ大手の台湾UMC（聯電）が、IP・IC設計の台湾eMemory（力旺）と協働し、日本工場で2D NAND型フラッシュメモリ（NANDフラッシュ）製造業務の展開を計画しているとの情報が、台湾の市場や産業界に広がっていると報じた。


経済日報によると、この情報についてUMCとeMemoryの広報担当は21日、いずれもコメントを拒否した。同紙は、UMCが4月29日に予定している投資家向け説明会で、言及するか否かに市場が注目していると報じた。

一方、同紙の伝えた台湾の業界筋は、キオクシア（Kioxia=旧東芝メモリ）などNANDフラッシュ大手が次々と2D NANDフラッシュ製造から撤退し、ハイエンド3D NANDに資源を集中する中、2D NANDも車載、コンシューマ向け電子機器、組み込み機器、産業用等、長寿命製品に広く使用されており、依然、安定した需要が存在すると指摘。こうした状況を背景に日系のメモリ大手がUMCに対し、2D NANDフラッシュの製造委託を打診、要請を受けたUMCでは、eMemoryと協働し「IP＋プロセス統合」方式でNANDフラッシュ製造への参入を決め、日本子会社USJCで2D NANDフラッシュ製造業務の展開を計画していると述べた。

UMCについてこの業界筋は、主力はロジック半導体の受託生産だが、組み込みフラッシュ（eFlash）の製造基盤を持ち、40〜28nm（ナノメートル）世代の成熟プロセスに強みを持つと指摘。OTPやMTP等のメモリIPを手掛け、セキュリティ分野にも展開するeMemoryとの取り組みは、UMCにとって従来の純ファウンドリにとどまらず、IPとプロセスを一体化する形となり、技術導入の迅速化や歩留まり改善につながるとした。

また、同紙の伝えた事情に詳しい台湾の市場関係者は、UMCがUSJCの12インチ工場（三重県）で2D NANDの量産を計画しており、26年内に試作を開始し、2027年にも量産に移行する予定だと述べた。USJCについては、成熟プロセスと品質管理に強みを持つとし、とりわけ45・40nm世代のMLC NAND製品への参入に適しているとした他、UMCはロジック半導体の生産能力に影響を与えることなく、柔軟にリソースを配分することが可能だと述べた。

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