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【半導体】台湾・韓国の半導体業界、中国規制のタングステン代替でモリブデンに注目
2026-06-08 11:48:29
台湾の大手紙『経済日報』は2026年6月8日付で、中国のレアメタル（希少金属）輸出規制強化を受け、「タングステン（W）」関連原及び製品の対日輸出が実質的に止まっている中、低抵抗特性を持つ「モリブデン（Mo）」が次世代の代替材料として注目を集めていると報じた。こうした中、台湾で高純度モリブデン材料を手掛けるPlum-Monix Industry（PMIC＝華mu実業）が半導体分野への本格参入を表明、台湾のサプライチェーンで「タングステンからモリブデンへの移行」を強力に推進していると伝えた。


経済日報は、世界のタングステン資源の約8割は中国が掌握しているが、AI需要の拡大に伴い、半導体の先進プロセスは3D構造化・高積層化・微細化が急速に進展しており、従来のタングステンを中心とした金属材料は電気抵抗や微細化の限界に直面していると指摘。こうした状況下、韓国サムスン電子（Samsung Electronics）や韓国SKハイニックス（SK Hynix）をはじめとする半導体大手が、代替素材として「モリブデン」の確保に奔走している他、米ラムリサーチ（Lam Research）や米メルク（Merck）等の半導体製造装置・材料メーカーも、モリブデンを「低抵抗」「優れた埋め込み性能」「原子層堆積（ALD）技術との高い親和性」といった優位性を有する次世代半導体配線材料として有望視していると紹介した。

同紙によると、モリブデンについて、ラムリサーチ台湾の関係者は、抵抗率が低く、ALD技術を用いて超微細構造に均一に埋め込むことが可能だと指摘。従来のタングステンのプロセスでは窒化チタン等のライナー（バリア層）を追加する必要があるが、モリブデンは追加材料なしで堆積できるため、同じ線幅でも電流チャネルの拡大に寄与するとした。さらに、3nm（ナノメートル）以下の最先端プロセスやGAAアーキテクチャにおいても、優れた導電性を持つモリブデンは、従来のタングステンや銅（Cu）配線を代替する重要材料と見なされているとした。

また、同紙の伝えた台湾の半導体業界筋は、タングステンは高融点かつ高硬度であり、長らくメモリデバイスの金属配線やワードライン（Word Line）に使用されてきたが、積層数の増加と寸法の微細化に伴い、電気抵抗のボトルネックが顕著になっていると指摘。多層化アーキテクチャにおける抵抗の問題を解決するため、サムスン電子とSKハイニックスが率先してモリブデン争奪戦に加わり、一部のNAND型フラッシュメモリ（NANDフラッシュ）製造プロセスにモリブデンを先行導入していると述べた。

経済日報によると、Plum-Monix Industryの王大介・董事長（会長）は同紙に対し、「半導体産業の高成長が続く中、高純度・高品質・トレーサビリティを備えた材料需要は今後さらに拡大する。当社はモリブデン及びバナジウム材料の半導体応用を一層深化させ、次世代先端材料市場での事業拡大を進めていく」と述べた。

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